Monografie

Reliability studies of GaN High Electron Mobility Transistors

Language
Englisch
Extent
162 S.
Notes
Zugl.: Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2013
ISBN
978-3-8396-0897-5
Identifier
1073854337

Series
Science for systems; Bd. 22

Subject
HEMT ; Galliumnitrid ; Hochfrequenz ; Degradation ; Zuverlässigkeit ; Hochschulschrift

Contributor
Cäsar, Markus
Ambacher, Oliver
Fraunhofer IRB-Verlag
Fraunhofer IAF, Freiburg

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Last update
15.04.2024, 8:55 AM CEST

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