Monografie
GaN-based high electron mobility transistors with high Al-content barriers
- Sprache
-
Englisch
- Umfang
-
114, xxxvi Seiten
- ISBN
-
978-3-8396-1340-5
- Identifier
-
1162709626
- Reihe
-
Science for systems; Band 36
- Thema
-
Hochschulschrift
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf Teile des Objekts ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
16.08.2023, 18:35 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
- Godejohann, Birte-Julia
- Ambacher, Oliver
- Fraunhofer IAF, Freiburg
- Fraunhofer IRB-Verlag
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