Monografie
Dynamic detection of target DNA with AlGaN/GaN high electron mobility transistors
- Sprache
-
Englisch
- Identifier
-
1124005242
- Thema
-
Hochschulschrift
- Beteiligte Personen und Organisationen
- DOI
-
10.6094/UNIFR/11557
- URN
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
26.01.2023, 13:55 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
- Espinosa, Nayeli
- Ambacher, Oliver
- Technische Fakultät
- Albert-Ludwigs-Universität Freiburg
Ähnliche Objekte (12)
Analysis of the potential of gallium nitride based monolithic power amplifiers in the microwave domain with more than an octave bandwidth = Untersuchung des Potenzials von Galliumnitrid-basierten monolithisch integrierten Leistungsverstärkern im Mikrowellenbereich mit mehr als einer Oktave Bandbreite
Towards surface-enlarged diamond materials : creation of surface-enlarged diamond electrodes for electrochemical energy applications
High power AlGaN/GaN HFETs for industrial, scientific and medical applications = AlGaN/GaN Hochleistungstransistoren für industrielle, wissenschaftliche und medizinische Anwendungen
Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich
Biofunktionalisierung und -sensorik mit AlGaN/GaN-Feldeffekttransistoren
Kontaktlose Mikroschalter auf der Basis von Dünnschichten aus Aluminiumnitrid und nanokristallinem Diamant
Evaluierung elastischer Eigenschaften von Mikro- und Nanostrukturen
AlGaN/GaN-basierte-pH-Sensoren für biochemische Anwendungen
Micro-System: Gallium Nitride RF-Broad-Band High-Power Amplifier = Mikrosystem: Gallium Nitride HF Breitband Hochleistungsverstärker
Experimental evaluation of the device design and process technology of the current aperture vertical electron transistor for power electronics applications
High power AlGaN/GaN HFETs for industrial, scientific and medical applications
Untersuchung der elektro-akustischen und pyroelektrischen Eigenschaften von Aluminium-Scandium-Nitrid für mikroakustische Hochfrequenzfilter
Analysis of the potential of gallium nitride based monolithic power amplifiers in the microwave domain with more than an octave bandwidth = Untersuchung des Potenzials von Galliumnitrid-basierten monolithisch integrierten Leistungsverstärkern im Mikrowellenbereich mit mehr als einer Oktave Bandbreite
Towards surface-enlarged diamond materials : creation of surface-enlarged diamond electrodes for electrochemical energy applications
High power AlGaN/GaN HFETs for industrial, scientific and medical applications = AlGaN/GaN Hochleistungstransistoren für industrielle, wissenschaftliche und medizinische Anwendungen
Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich
Biofunktionalisierung und -sensorik mit AlGaN/GaN-Feldeffekttransistoren
Kontaktlose Mikroschalter auf der Basis von Dünnschichten aus Aluminiumnitrid und nanokristallinem Diamant
Evaluierung elastischer Eigenschaften von Mikro- und Nanostrukturen
AlGaN/GaN-basierte-pH-Sensoren für biochemische Anwendungen
Micro-System: Gallium Nitride RF-Broad-Band High-Power Amplifier = Mikrosystem: Gallium Nitride HF Breitband Hochleistungsverstärker
Experimental evaluation of the device design and process technology of the current aperture vertical electron transistor for power electronics applications
High power AlGaN/GaN HFETs for industrial, scientific and medical applications
Untersuchung der elektro-akustischen und pyroelektrischen Eigenschaften von Aluminium-Scandium-Nitrid für mikroakustische Hochfrequenzfilter
Analysis of the potential of gallium nitride based monolithic power amplifiers in the microwave domain with more than an octave bandwidth = Untersuchung des Potenzials von Galliumnitrid-basierten monolithisch integrierten Leistungsverstärkern im Mikrowellenbereich mit mehr als einer Oktave Bandbreite
Towards surface-enlarged diamond materials : creation of surface-enlarged diamond electrodes for electrochemical energy applications
High power AlGaN/GaN HFETs for industrial, scientific and medical applications = AlGaN/GaN Hochleistungstransistoren für industrielle, wissenschaftliche und medizinische Anwendungen
Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich
Biofunktionalisierung und -sensorik mit AlGaN/GaN-Feldeffekttransistoren
Kontaktlose Mikroschalter auf der Basis von Dünnschichten aus Aluminiumnitrid und nanokristallinem Diamant
Evaluierung elastischer Eigenschaften von Mikro- und Nanostrukturen
AlGaN/GaN-basierte-pH-Sensoren für biochemische Anwendungen
Micro-System: Gallium Nitride RF-Broad-Band High-Power Amplifier = Mikrosystem: Gallium Nitride HF Breitband Hochleistungsverstärker
Experimental evaluation of the device design and process technology of the current aperture vertical electron transistor for power electronics applications
High power AlGaN/GaN HFETs for industrial, scientific and medical applications