Archivale
V 5 - Abschlussbericht: "Ausbeutesteigerung MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Enthält u. a.: Tabellen.
- Archivaliensignatur
-
504 Mikroel Stdf 133
- Bestand
-
504 Mikroel Stdf (82315) Rep. 504 VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf
- Kontext
-
Rep. 504 VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf >> Verfahren >> Epitaxie
- Laufzeit
-
1986
- Weitere Objektseiten
- Letzte Aktualisierung
-
04.03.2025, 17:11 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Brandenburgisches Landeshauptarchiv. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Brandenburgisches Landeshauptarchiv. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Archivale
Entstanden
- 1986
Ähnliche Objekte (12)
Abschlussbericht: "Physikalisches Messverfahren zur Prozesskontrolle - MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 1- Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Bericht: "Glaspassivierung - MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Bericht: "Epitaxie für 76 mm - Scheibe MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Bericht zur Zwischenverteidigung V 2: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"
Bericht zur Zwischenverteidigung V 5: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"
Aufgabenkomplex "Planar-Epitaxie-Technik"
A 4 - Abschlussbericht: "Epitaxie- und Substratmaterial"
Fertigungsgerechte III-V-Epitaxie [Drei-fünf-Epitaxie]
Epitaxie hochreiner Diamantschichten
Abschlussbericht: "Physikalisches Messverfahren zur Prozesskontrolle - MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 1- Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Bericht: "Glaspassivierung - MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Bericht: "Epitaxie für 76 mm - Scheibe MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Bericht zur Zwischenverteidigung V 2: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"
Bericht zur Zwischenverteidigung V 5: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"
Aufgabenkomplex "Planar-Epitaxie-Technik"
A 4 - Abschlussbericht: "Epitaxie- und Substratmaterial"
Fertigungsgerechte III-V-Epitaxie [Drei-fünf-Epitaxie]
Epitaxie hochreiner Diamantschichten
Abschlussbericht: "Physikalisches Messverfahren zur Prozesskontrolle - MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 1- Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Bericht: "Glaspassivierung - MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Bericht: "Epitaxie für 76 mm - Scheibe MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Bericht zur Zwischenverteidigung V 2: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"
Bericht zur Zwischenverteidigung V 5: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"
Aufgabenkomplex "Planar-Epitaxie-Technik"
A 4 - Abschlussbericht: "Epitaxie- und Substratmaterial"
Fertigungsgerechte III-V-Epitaxie [Drei-fünf-Epitaxie]