Hochschulschrift
Dreidimensionale Licht emittierende GaInN-GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld
- Ausgabe
-
1. Aufl.
- Sprache
-
Deutsch
- Umfang
-
5, IV, 177 S.
- Maße
-
21 cm
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Ulm, Univ., Diss., 2010
- ISBN
-
9783869554419
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Schlagwort
-
Galliumnitrid
Indiumnitrid
Heterostruktur
Lumineszenzdiode
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 11:43 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Wunderer, Thomas
- Cuvillier
Entstanden
- 2010
Ähnliche Objekte (12)
Kapazitätstransientenspektroskopie an Fehlpassungsversetzungen in InGaAs-, GaAs-Halbleiterschichtstrukturen
AlGaN-GaN HEMTs reliability : degradation modes and analysis
Mikrowellen-Schaltverstärker in GaN- und GaAs-Technologie : Designgrundlagen und Komponenten
AlGaN-GaN-Feldeffekttransistoren : prozeßtechnologische Ansätze zur Optimierung von DC- und HF-Eigenschaften
GalnN /GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen
Antiphasengrenzen in geordnetem (GaIn)P
Zuverlässigkeitsuntersuchung von GaAs Heteroübergang-Bipolartransistoren
Intermodulation distortion in GaN HEMT
Magnetische NiMnGa-Polymer-Komposite
Analysis and optimization of AlGaN, GaN high electron mobility transistors for microwave applications
In-situ Ätzen und MBE-Überwachsen sowie Ferninfrarot-Spektroskopie an AlGaAs-, GaAs-Quantendrähten
Spektroskopie von piezoelektrischen Halbleitermaterialien für optoelektonische Anwendungen
Kapazitätstransientenspektroskopie an Fehlpassungsversetzungen in InGaAs-, GaAs-Halbleiterschichtstrukturen
AlGaN-GaN HEMTs reliability : degradation modes and analysis
Mikrowellen-Schaltverstärker in GaN- und GaAs-Technologie : Designgrundlagen und Komponenten
AlGaN-GaN-Feldeffekttransistoren : prozeßtechnologische Ansätze zur Optimierung von DC- und HF-Eigenschaften
GalnN /GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen
Antiphasengrenzen in geordnetem (GaIn)P
Zuverlässigkeitsuntersuchung von GaAs Heteroübergang-Bipolartransistoren
Intermodulation distortion in GaN HEMT
Magnetische NiMnGa-Polymer-Komposite
Analysis and optimization of AlGaN, GaN high electron mobility transistors for microwave applications
In-situ Ätzen und MBE-Überwachsen sowie Ferninfrarot-Spektroskopie an AlGaAs-, GaAs-Quantendrähten
Spektroskopie von piezoelektrischen Halbleitermaterialien für optoelektonische Anwendungen
Kapazitätstransientenspektroskopie an Fehlpassungsversetzungen in InGaAs-, GaAs-Halbleiterschichtstrukturen
AlGaN-GaN HEMTs reliability : degradation modes and analysis
Mikrowellen-Schaltverstärker in GaN- und GaAs-Technologie : Designgrundlagen und Komponenten
AlGaN-GaN-Feldeffekttransistoren : prozeßtechnologische Ansätze zur Optimierung von DC- und HF-Eigenschaften
GalnN /GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen
Antiphasengrenzen in geordnetem (GaIn)P
Zuverlässigkeitsuntersuchung von GaAs Heteroübergang-Bipolartransistoren
Intermodulation distortion in GaN HEMT
Magnetische NiMnGa-Polymer-Komposite
Analysis and optimization of AlGaN, GaN high electron mobility transistors for microwave applications
In-situ Ätzen und MBE-Überwachsen sowie Ferninfrarot-Spektroskopie an AlGaAs-, GaAs-Quantendrähten