Monografie

Charge carrier dynamics and defect generation at the Si/SiO2 interface proped by femtosecond optical second harmonic generation

Sprache
Englisch
Anmerkungen
Jena, Univ., Diss., 2005
Identifier
976450127

Thema
Silicium ; Siliciumdioxid ; Grenzfläche ; Ladungsträger ; Frequenzumsetzung ; Silicium-Siliciumdioxid-Grenzfläche ; Frequenzverdopplung; Hochschulschrift; Online-Publikation

Beteiligte Personen und Organisationen

URN
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Letzte Aktualisierung
26.01.2023, 13:55 MEZ

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Objekttyp

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