Hochschulschrift
Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783844034950
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
V, 180 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2014
- Erschienen in
-
Erlanger Berichte Mikroelektronik ; Bd. 2015,2
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Kondensator
MOS
Siliciumcarbid
Siliciumdioxid
Grenzfläche
Gate-Oxid
Ladungsträgerbeweglichkeit
Elektrische Eigenschaft
MOS-FET
n-Kanal-FET
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 12:04 MEZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Strenger, Christian
- Shaker
Entstanden
- 2015
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