Forming‐Free Grain Boundary Engineered Hafnium Oxide Resistive Random Access Memory Devices

Sprache
Englisch
Identifier
1315575965

DOI
10.26083/tuprints-00017041
URN
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.02.2024, 11:10 MEZ

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