Forming‐Free Grain Boundary Engineered Hafnium Oxide Resistive Random Access Memory Devices
- Sprache
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Englisch
- Identifier
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1315575965
- Beteiligte Personen und Organisationen
- DOI
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10.26083/tuprints-00017041
- URN
- Rechteinformation
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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15.02.2024, 11:10 MEZ
Datenpartner
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