Monografie

Simulation and Modeling of Silicon Carbide Devices

Sprache
Englisch
Anmerkungen
Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Diss., 2015
Identifier
1075839912

Thema
Wide-gap-Halbleiter, Siliciumcarbid, Simulation, n-Kanal-FET, Hall-Beweglichkeit, Haftstelle; Hochschulschrift

Beteiligte Personen und Organisationen
Uhnevionak, Viktoryia
Pichler, Peter
Weigel, Robert

URN
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
26.01.2023, 13:54 MEZ

Objekttyp

  • Monografie

Beteiligte

  • Uhnevionak, Viktoryia
  • Pichler, Peter
  • Weigel, Robert

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