In situ investigation of defects in semiconductors : = In Situ Erforschung von Defekten in Halbleitern

Hochschulschrift

Zusammenfassung: Versetzungen und Slip Bands, welche durch schnelle thermische Prozesse an Mikrorissen und anderen Defekten in Silizium Wafern entstehen, haben einen nachteiligen Einfluß auf die Eigenschaften von elektronischen Bauteilen. Viele dieser Defekte entstehen am Rand der Wafer. Die Charakterisierung dieser Defekte kann mittels Weiß Strahl Synchrotron X-ray diffraction imaging (auch bekannt als Weiß Strahl Synchrotron Topographie) leicht durchgeführt werden. Für die Experimente wurden durch Nanoindentierung mit einer Berkovich und einer Vickers Spitze klar definierte Defekte auf der Oberfläche von Silizium Wafern aufgebracht. Die aufgewandten Eindruckkräfte betrugen dabei zwischen 100 und 600 mN für die Berkovich Spitze und zwischen 2 und 50 N für die Vickers Spitze. In der Nähe der Ecken der Eindrücke entstehen Mikrorisse, deren Länge linear von der verwendeten Eindruckkraft abhängig ist. Zur Beobachtung und Analyse der Versetzungen und Slip Bands, welche von diesen definierten Defekten ausgehen, wurde eine Reihe von Ex Situ und In Situ Experimenten sowohl an 200 und 300 mm Silizium Wafern als auch an kleinen 20 x 20 mm² Proben durchgeführt.

Object Details

• Alternative title: In Situ Erforschung von Defekten in Halbleitern
• Location: Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
• Extent: Online-Ressource
• Language: Englisch
• Notes: Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Dissertation, 2011

Classification and Topics

• Classification: Physik
• Keyword: Wafer ; Silicone ; Online-Ressource

Contributors, Places and Time

• Event: Veröffentlichung
• (where): Freiburg
• (who): Universität
• (when): 2011
• Creator: Wittge, Jochen
• Contributor: Cröll, Arne

Further information

• URN: urn:nbn:de:bsz:25-opus-84644
• Rights: Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
• Last update: 25.03.2025, 1:51 PM CET