Hochschulschrift
Grenzflächenunterstützte Tunnelprozesse in pn-GeGaAs-[Heteroübergängen] und pn-GeSi-Heteroübergängen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
II, 96 Bl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
München, Techn. Univ., Fachbereich Elektrotechnik, Diss., 1976.
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 12:32 MEZ
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Objekttyp
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Beteiligte
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