Hochschulschrift
Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur-FETs für hohe Leistung
- Sprache
-
Deutsch
- Umfang
-
Online-Ressource
- Anmerkungen
-
Ulm, Univ., Diss., 2006
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Schlagwort
-
Galliumnitrid
Feldeffekttransistor
HEMT
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:289-vts-57224
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:47 MEZ
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Objekttyp
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